wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Sposób wytwarzania płaskich krzemowych warstw krawędziowych na powierzchni SiO2 : opis patentowy nr 194459

Pobierz

Tytuł: Sposób wytwarzania płaskich krzemowych warstw krawędziowych na powierzchni SiO2 : opis patentowy nr 194459

Twórca:

Olchowik, Jan Marian

Data wydania:

Zgłoszono 31.03.2000. ; Zgłoszenie ogłoszono 08.10.2001 BUP 21/01. ; Opublikowano 29.06.2007 WUP 06/07. ; 2013 (wyd. cyfrowe)

Typ dokumentu:

Opis patentowy

Tytuł oryginału:

PL 194459 B1

Opis:

Sposób wytwarzania płaskich krzemowych warstw krawędziowych na powierzchni SiO2, znamienny tym, że warstwę hoduje się na monokrystalicznym podłożu Si, utlenionym w czasie 1 h w atmosferze suchego tlenu przy temperaturze 900°C, wynikiem czego jest wytworzenie warstwy SiO2 o grubości 1000 Å,w której to po fotolitograficznym wytrawieniu siatki wzajemnie równoległych, szerokich na 10 mm i odległych od siebie o 100 mm okien, trawionych w ciągu 60 min. w roztworze NH4F:H2O2, za pomocą metody epitaksji z fazy ciekłej z roztworu Sn:Si, nasyconego w temperaturze 920°C wytwarzania się warstwy Si krawędziowe, rozwijające się nad powierzchnią SiO2 prostopadle względem siatki otwartych okien, łączących się ze sobą bezdyslokacyjnie w przestrzeni międzyokiennej.

Wydawca:

Politechnika Lubelska

Współtwórca:

Politechnika Lubelska. Uprawaniony z patentu ; Milczek, Tomasz (1950- ). Oprac.

Format:

application/pdf ; pełnotekstowe przeszukiwanie publikacji

Powiązania:

Opis zgłoszeniowy wynalazku PL 339396 (A1) 08.10.2001. ; Nr zgłoszenia: 339396.

Zakres:

C01B 33/02 (2006.01) Int. Cl. ; C23C 14/16 (2006.01) Int. Cl. ; C23C 14/04 (2006.01) Int. Cl.

Zarządzanie prawami:

Politechnika Lubelska

Tagi:

bplmj

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

2014-04-11

Data dodania obiektu:

2013-09-03

Liczba wyświetleń treści obiektu:

79

Liczba wyświetleń treści obiektu w formacie PDF

59

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.pollub.pl/publication/4011

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
PL 194459 B1 2014-04-11

Podobne

Sposób wytwarzania tarczy indowo-galowej : opis patentowy nr 225856

Olchowik, Jan Marian Politechnika Lubelska. Uprawniony z patentu ; Milczek Tomasz (1950-). Oprac.

2017 (wyd. cyfrowe)
Opis patentowy

Sposób zwiększenia powierzchni aktywnej złącza p-n cienkowarstwowych baterii słonecznych wytwarzanych metodą sputeringu plazmowego : opis patentowy nr 219163

Olchowik, Jan Marian Politechnika Lubelska. Uprawniony z patentu Milczek, Tomasz (1950- ). Oprac.

2015 (wyd. cyfrowe)
Opis patentowy

Krzemowe fotoogniwo krystaliczne i sposób jego wytwarzania : opis patentowy nr 219944

Olchowik, Jan Marian Politechnika Lubelska. Uprawniony z patentu Milczek, Tomasz (1950- ). Oprac.

2015 (wyd. cyfrowe)
Opis patentowy

Sposób wytwarzania monolitycznych lateralnych warstw krzemowych na multikrystalicznych podłożach Si : opis patentowy nr 212768

Olchowik, Jan Marian. Politechnika Lubelska. Uprawaniony z patentu Milczek, Tomasz (1950- ). Oprac.

2014 (wyd. cyfrowe)
Opis patentowy

Sposób wykonania baterii słonecznych na bazie krzemu : opis patentowy nr 198269

Olchowik, Jan Marian Politechnika Lubelska. Uprawaniony z patentu Milczek, Tomasz (1950- ). Oprac.

Zgłoszono 03.04.2000.
Opis patentowy

Sposób i urządzenie do wytwarzania cienkich gradientowych okien optycznych dla baterii słonecznych na bazie arsenku galu : opis patentowy nr 170389

Olchowik, Jan Marian. Szymczuk, Dariusz Politechnika Lubelska. Uprawaniony z patentu Milczek, Tomasz (1950- ). Oprac.

Zgłoszono 01.07.1993.
Opis patentowy

Urządzenie do klimatyzacji : opis patentowy nr 219022

Olchowik, Jan Marian Pawłowski, Lucjan (1946- ) Politechnika Lubelska. Uprawniony z patentu Milczek, Tomasz (1950- ). Oprac.

2015 (wyd. cyfrowe)
Opis patentowy
Więcej

Dane kontaktowe

Adres

Biblioteka Politechniki Lubelskiej
ul. Nadbystrzycka 36C
20-618 Lublin

Telefon

(+48) 81 538-4659

E-Mail

j.gajda@pollub.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji