Tytuł:

Sposób wytwarzania monolitycznych lateralnych warstw krzemowych na multikrystalicznych podłożach Si : opis patentowy nr 212768

Tytuł oryginału:

PL 212768 B1

Twórca:

Olchowik, Jan Marian.

Opis:

Sposób wytwarzania monolitycznych lateralnych warstw krzemowych na multikrystalicznych podłożach Si dla zastosowań fotowoltaicznych polega na tym, że podłoża z multikrystalicznego krzemu utlenia się, tworząc na jego powierzchni cienką warstwę SiO2, w której fotolitograficznie wytwarza się siatkę otwartych okien krzemowych i tak przygotowaną powierzchnię wprowadza się w atmosferze argonu w kontakt z nasyconą atomami krzemu roztopioną cyną, znajdującą się w gradientowym polu temperaturowym o malejącej temperaturze w kierunku podłoża, stwarzając w ten sposób dogodne warunki dla dostarczania atomów Si z roztworu Sn do otwartej w SiO2 siatki okien krzemowych i rozwijania lateralnego wzrostu monolitycznej krzemowej warstwy.

Wydawca:

Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (wyd. oryg.) ; Politechnika Lubelska (wyd. cyfrowe)

Współtwórca:

Politechnika Lubelska. Uprawaniony z patentu ; Milczek, Tomasz (1950- ). Oprac.

Data wydania:

2014 (wyd. cyfrowe) ; Zgłoszono 04.05.2007. ; Zgłoszenie ogłoszono 10.11.2008 BUP 23/08. ; Opublikowano 30.11.2012 WUP 11/12.

Typ dokumentu:

Opis patentowy

Format:

application/pdf ; pełnotekstowe przeszukiwanie publikacji

Powiązania:

Opis zgłoszeniowy wynalazku PL 382359 (A1) 10.11.2008. ; Nr zgłoszenia: 382359.

Zakres:

H01L 21/00 (2006.01) Int. Cl.

Zarządzanie prawami:

Politechnika Lubelska

Tagi:

bplmj