Search for: [Description = Sposób wytwarzania obszarów izolacji pionowej w układach scalonych wykonanych na podłożu z arsenku galu charakteryzuje się tym, że wykonuje się polienergetyczną implantację jonów lekkich, korzystnie jonów wodoru H\+ o dawkach rzędu 1012\-1015cm\-2, korzystnie 1014cm\-2 i energiach z zakresu 50\-400keV, do płytki z arsenku galu poddanej wcześniej wszystkim operacjom technologicznym wymaganym dla wykonania układu scalonego, a następnieprzeprowadza się izotermiczne wygrzewanie stabilizujące w temperaturze od 200°C do 300°C, korzystnie 250°C, w czasie 10\-15 minut, korzystnie 15 minut.]

Number of results: 1