Filters
  • Collections
  • File type
  • Content format
  • Creator
  • Contributor
  • Date
  • Resource Type

Search for: [Description = Sposób wytwarzania kondensatorów półprzewodnikowych w układach scalonych, polegający na umieszczeniu dielektryka między okładkami, z których jedna jest domieszkowaną warstwą półprzewodnika, a druga jest warstwą metalu naniesionego na dielektryki, charakteryzuje się tym, że implantuje się płytkę krzemową jonami tej samej domieszki jaką była domieszkowana płytka, dawką 10 do 15 \- 10 do 16 cm־² wygrzewa się ją w temperaturze 1000°\-1050°C przez 10\-20 minut i implantuje się domieszką neutralną\: azotem, krzemem lub argonem z energiami dobranymi tak, aby zasięg jonów był mniejszy niż wytworzona poprzednio warstwa o podwyższonej przewodności, a następnie wygrzewa się płytkę w temperaturze 380°\-450°C w czasie 10\-20 minut.]

Number of results: 1

items per page

Żukowski, Paweł Partyka, Janusz Węgierek, Paweł Kantorow, Sergiej Szostak, Jerzy Skrynicki, Wiesław. Oprac. Politechnika Lubelska. Uprawaniony z patentu

Zgłoszono 10.11.1994.
Opis patentowy

This page uses 'cookies'. More information