Tytuł:

Sposób wytwarzania obszarów izolacji pionowej w krzemowych strukturach półprzewodnikowych : opis patentowy nr 216726

Tytuł oryginału:

PL 216726 B1

Twórca:

Żukowski, Paweł ; Węgierek, Paweł ; Kowalski, Marcin

Opis:

Sposób wytwarzania obszarów izolacji pionowej w krzemowych strukturach półprzewodnikowych charakteryzuje się tym, że wykonuje się implantację jonów lekkich, korzystnie jonów neonu Ne+ o dawkach rzędu 1014 - 1016 cm-2, korzystnie 1,2•1015 cm-2 i energiach z zakresu 400-800keV, korzystnie 600keV, do płytki podłożowej z krzemu o temperaturze z zakresu 150-300°C, korzystnie 250°C, poddanej wcześniej wszystkim operacjom technologicznym wymaganym dla wykonania układu mikroelektronicznego, a następnie przeprowadza się izotermiczne wygrzewanie stabilizujące w temperaturze od 500°C do 600°C, korzystnie 550°C, w czasie 10-15 minut, korzystnie 15 minut.

Wydawca:

Politechnika Lubelska (wyd. cyfrowe) ; Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (wyd. oryg.)

Współtwórca:

Politechnika Lubelska. Uprawaniony z patentu ; Milczek, Tomasz (1950- ). Oprac.

Data wydania:

2014 (wyd. cyfrowe) ; Zgłoszono 17.07.2008. ; Zgłoszenie ogłoszono 18.01.2010 BUP 02/10. ; Opublikowano 30.05.2014 WUP 05/14.

Typ dokumentu:

Opis patentowy

Format:

application/pdf

Powiązania:

Opis zgłoszeniowy wynalazku PL 385684 (A1) 17.07.2008. ; Nr zgłoszenia: 385684.

Zakres:

H01L 21/76 (2006.01) Int. Cl.

Zarządzanie prawami:

Politechnika Lubelska

Tagi:

bplmj