Tytuł:

Sposób wytwarzania płaskich krzemowych warstw krawędziowych na powierzchni SiO2 : opis patentowy nr 194459

Tytuł oryginału:

PL 194459 B1

Twórca:

Olchowik, Jan Marian

Opis:

Sposób wytwarzania płaskich krzemowych warstw krawędziowych na powierzchni SiO2, znamienny tym, że warstwę hoduje się na monokrystalicznym podłożu Si, utlenionym w czasie 1 h w atmosferze suchego tlenu przy temperaturze 900°C, wynikiem czego jest wytworzenie warstwy SiO2 o grubości 1000 Å,w której to po fotolitograficznym wytrawieniu siatki wzajemnie równoległych, szerokich na 10 mm i odległych od siebie o 100 mm okien, trawionych w ciągu 60 min. w roztworze NH4F:H2O2, za pomocą metody epitaksji z fazy ciekłej z roztworu Sn:Si, nasyconego w temperaturze 920°C wytwarzania się warstwy Si krawędziowe, rozwijające się nad powierzchnią SiO2 prostopadle względem siatki otwartych okien, łączących się ze sobą bezdyslokacyjnie w przestrzeni międzyokiennej.

Wydawca:

Politechnika Lubelska

Współtwórca:

Politechnika Lubelska. Uprawaniony z patentu ; Milczek, Tomasz (1950- ). Oprac.

Data wydania:

Zgłoszono 31.03.2000. ; Zgłoszenie ogłoszono 08.10.2001 BUP 21/01. ; Opublikowano 29.06.2007 WUP 06/07. ; 2013 (wyd. cyfrowe)

Typ dokumentu:

Opis patentowy

Format:

application/pdf ; pełnotekstowe przeszukiwanie publikacji

Powiązania:

Opis zgłoszeniowy wynalazku PL 339396 (A1) 08.10.2001. ; Nr zgłoszenia: 339396.

Zakres:

C01B 33/02 (2006.01) Int. Cl. ; C23C 14/16 (2006.01) Int. Cl. ; C23C 14/04 (2006.01) Int. Cl.

Zarządzanie prawami:

Politechnika Lubelska

Tagi:

bplmj