Search for: [Description = Sposób polega na tym, że nasycony roztwór ciekły czteroskładnikowych związków półprzewodnikowych AIIIBV o równoważnej mu przerwie energetycznej większej od przerwy energetycznej arsenku galu, umieszczony jest w pierwszej fazie nad pionowo ustawionym podłożem, a następnie ześlizguje się po nim przy temperaturze nasycenia i wytwarza przy tym cienką warstwę przejściową o strukturze gradientowego okna optycznego dla transmisji światła do obszaru ładunku przestrzennego elementu fotowortaicznego. Urządzenie składa się z nieruchomych części oraz ruchomego slidera, przy czym komory roztworowe umieszczone są jedna nad drugą i rozdzielone przesuwnym sliderem z komorą roztworową, w której pionowo usytuowane jest podłoże monokrystaliczne wchodzące poprzez przesuw slidera w kontakt z roztworem w komorze ześlizgujący się swobodnie po jego powierzchni do komory roztworowej.]

Number of results: 1