Obiekt

Tytuł: Źródło jonów pierwiastków gazowych do implantacji metali : opis patentowy nr 199689

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

2014-04-11

Data dodania obiektu:

2013-09-08

Liczba wyświetleń treści obiektu:

53

Liczba wyświetleń treści obiektu w formacie PDF

49

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

http://bc.pollub.pl/publication/3920

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
PL 199689 B1 2014-04-11

Podobne

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji