Obiekt

Tytuł: Sposób kształtowania w wykroju zamkniętym radiatora z żebrem o zarysie półokrągłym : opis patentowy nr 219497

Tytuł oryginału:

PL 219497 B1

Opis:

Sposób kształtowania w wykroju zamkniętym radiatora z żebrami o zarysie półokrągłym, zwłaszcza metodą kucia na gorąco w trójsuwakowej prasie kuźniczej charakteryzuje się tym, że półfabrykat w kształcie płyty nagrzewa się w piecu do temperatury kucia na gorąco, a następnie nagrzany półfabrykat umieszcza się w wykroju zamkniętym na matrycy dolnej pomiędzy stemplem bocznym biernym a stemplem bocznym czynnym oraz dwoma płytami oporowymi, po czym wprawia się stempel boczny czynny w ruch postępowy ze stałą prędkością w kierunku stempla bocznego biernego z wgłębieniem o zarysie półokrągłym w części dolnej na powierzchni czołowej, spęcza się odcinek półfabrykatu i kształtuje się żebro o zarysie półokrągłym w przestrzni ograniczonej czołowymi powierzchniami stempla bocznego biernego oraz stempla bocznego czynnego, następnie wycofuje się z ukształtowanego półfabrykatu z jednym żebrem o zarysie półokrągłym stempel boczny czynny

Wydawca:

Politechnika Lubelska (wyd. cyfrowe) ; Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (wyd. oryg.)

Współtwórca:

Politechnika Lubelska. Uprawniony z patentu ; Milczek, Tomasz (1950- ). Oprac.

Format:

application/pdf

Język:

pol

Powiązania:

Opis zgłoszeniowy wynalazku PL 405925 (A1) 18.08.2014 ; Nr zgłoszenia: 405925

Zakres:

B21J 5/02 (2006.01) Int. Cl ; B21J 9/02 (2006.01) Int. Cl ; B21D 53/02 (2006.01) Int. Cl

Zarządzanie prawami:

Politechnika Lubelska

Tagi:

mew

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

2015-08-24

Data dodania obiektu:

2015-08-24

Liczba wyświetleń treści obiektu:

126

Liczba wyświetleń treści obiektu w formacie PDF

111

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.pollub.pl/publication/11491

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
PL 219497 B1 2015-08-24

Podobne

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji