wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Sposób wytwarzania monolitycznych lateralnych warstw krzemowych na multikrystalicznych podłożach Si : opis patentowy nr 212768

Pobierz

Tytuł: Sposób wytwarzania monolitycznych lateralnych warstw krzemowych na multikrystalicznych podłożach Si : opis patentowy nr 212768

Twórca:

Olchowik, Jan Marian.

Data wydania:

2014 (wyd. cyfrowe) ; Zgłoszono 04.05.2007. ; Zgłoszenie ogłoszono 10.11.2008 BUP 23/08. ; Opublikowano 30.11.2012 WUP 11/12.

Typ dokumentu:

Opis patentowy

Tytuł oryginału:

PL 212768 B1

Opis:

Sposób wytwarzania monolitycznych lateralnych warstw krzemowych na multikrystalicznych podłożach Si dla zastosowań fotowoltaicznych polega na tym, że podłoża z multikrystalicznego krzemu utlenia się, tworząc na jego powierzchni cienką warstwę SiO2, w której fotolitograficznie wytwarza się siatkę otwartych okien krzemowych i tak przygotowaną powierzchnię wprowadza się w atmosferze argonu w kontakt z nasyconą atomami krzemu roztopioną cyną, znajdującą się w gradientowym polu temperaturowym o malejącej temperaturze w kierunku podłoża, stwarzając w ten sposób dogodne warunki dla dostarczania atomów Si z roztworu Sn do otwartej w SiO2 siatki okien krzemowych i rozwijania lateralnego wzrostu monolitycznej krzemowej warstwy.

Wydawca:

Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (wyd. oryg.) ; Politechnika Lubelska (wyd. cyfrowe)

Współtwórca:

Politechnika Lubelska. Uprawaniony z patentu ; Milczek, Tomasz (1950- ). Oprac.

Format:

application/pdf ; pełnotekstowe przeszukiwanie publikacji

Powiązania:

Opis zgłoszeniowy wynalazku PL 382359 (A1) 10.11.2008. ; Nr zgłoszenia: 382359.

Zakres:

H01L 21/00 (2006.01) Int. Cl.

Zarządzanie prawami:

Politechnika Lubelska

Tagi:

bplmj

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

2014-09-23

Data dodania obiektu:

2014-02-20

Liczba wyświetleń treści obiektu:

65

Liczba wyświetleń treści obiektu w formacie PDF

48

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://bc.pollub.pl/publication/6755

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
PL 212768 B1 2014-09-23

Podobne

Sposób wytwarzania tarczy indowo-galowej : opis patentowy nr 225856

Olchowik, Jan Marian Politechnika Lubelska. Uprawniony z patentu ; Milczek Tomasz (1950-). Oprac.

2017 (wyd. cyfrowe)
Opis patentowy

Sposób zwiększenia powierzchni aktywnej złącza p-n cienkowarstwowych baterii słonecznych wytwarzanych metodą sputeringu plazmowego : opis patentowy nr 219163

Olchowik, Jan Marian Politechnika Lubelska. Uprawniony z patentu Milczek, Tomasz (1950- ). Oprac.

2015 (wyd. cyfrowe)
Opis patentowy

Krzemowe fotoogniwo krystaliczne i sposób jego wytwarzania : opis patentowy nr 219944

Olchowik, Jan Marian Politechnika Lubelska. Uprawniony z patentu Milczek, Tomasz (1950- ). Oprac.

2015 (wyd. cyfrowe)
Opis patentowy

Sposób wytwarzania płaskich krzemowych warstw krawędziowych na powierzchni SiO2 : opis patentowy nr 194459

Olchowik, Jan Marian Politechnika Lubelska. Uprawaniony z patentu Milczek, Tomasz (1950- ). Oprac.

Zgłoszono 31.03.2000.
Opis patentowy

Sposób wykonania baterii słonecznych na bazie krzemu : opis patentowy nr 198269

Olchowik, Jan Marian Politechnika Lubelska. Uprawaniony z patentu Milczek, Tomasz (1950- ). Oprac.

Zgłoszono 03.04.2000.
Opis patentowy

Sposób i urządzenie do wytwarzania cienkich gradientowych okien optycznych dla baterii słonecznych na bazie arsenku galu : opis patentowy nr 170389

Olchowik, Jan Marian. Szymczuk, Dariusz Politechnika Lubelska. Uprawaniony z patentu Milczek, Tomasz (1950- ). Oprac.

Zgłoszono 01.07.1993.
Opis patentowy

Urządzenie do klimatyzacji : opis patentowy nr 219022

Olchowik, Jan Marian Pawłowski, Lucjan (1946- ) Politechnika Lubelska. Uprawniony z patentu Milczek, Tomasz (1950- ). Oprac.

2015 (wyd. cyfrowe)
Opis patentowy
Więcej

Dane kontaktowe

Adres

Biblioteka Politechniki Lubelskiej
ul. Nadbystrzycka 36C
20-618 Lublin

Telefon

(+48) 81 538-4659

E-Mail

j.gajda@pollub.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji