Szukana fraza: [Opis = Sposób wytwarzania płaskich krzemowych warstw krawędziowych na powierzchni SiO2, znamienny tym, że warstwę hoduje się na monokrystalicznym podłożu Si, utlenionym w czasie 1 h w atmosferze suchego tlenu przy temperaturze 900°C, wynikiem czego jest wytworzenie warstwy SiO2 o grubości 1000 Å,w której to po fotolitograficznym wytrawieniu siatki wzajemnie równoległych, szerokich na 10 mm i odległych od siebie o 100 mm okien, trawionych w ciągu 60 min. w roztworze NH4F\:H2O2, za pomocą metody epitaksji z fazy ciekłej z roztworu Sn\:Si, nasyconego w temperaturze 920°C wytwarzania się warstwy Si krawędziowe, rozwijające się nad powierzchnią SiO2 prostopadle względem siatki otwartych okien, łączących się ze sobą bezdyslokacyjnie w przestrzeni międzyokiennej.]

Wyników: 1