Filtry

Szukana fraza: [Opis = Sposób wytwarzania obszarów izolacji pionowej w układach scalonych wykonanych na podłożu z arsenku galu charakteryzuje się tym, że wykonuje się polienergetyczną implantację jonów lekkich, korzystnie jonów wodoru H\+ o dawkach rzędu 1012\-1015cm\-2, korzystnie 1014cm\-2 i energiach z zakresu 50\-400keV, do płytki z arsenku galu poddanej wcześniej wszystkim operacjom technologicznym wymaganym dla wykonania układu scalonego, a następnieprzeprowadza się izotermiczne wygrzewanie stabilizujące w temperaturze od 200°C do 300°C, korzystnie 250°C, w czasie 10\-15 minut, korzystnie 15 minut.]

Wyników: 1

obiektów na stronie

Żukowski, Paweł Węgierek, Paweł Partyka, Janusz Kołtunowicz, Tomasz N. Politechnika Lubelska. Uprawaniony z patentu Milczek, Tomasz (1950- ). Oprac.

2013 (wyd. cyfrowe)
Opis patentowy

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji