Filtry

Szukana fraza: [Opis = Sposób wytwarzania kondensatorów półprzewodnikowych o poszerzonym częstotliwościowym zakresie pracy, polegający na umieszczeniu dielektryka, uzyskanego poprzez jmplantację neutrealnej domieszki, korzystnie neonu, między okładkami, z których jedna jest domieszkowaną warstwą półprzewodnika, a druga warstwą metalu naniesionego na dielektryk, charakteryzuje się tym, że podwójnie implantowaną płytkę krzemową wygrzewa się impulsowo w temperaturze 700 \- 800° w czasie 1 sekundy, a następnie poddaje się wygrzewaniu w czasie 15 minut w temperaturze około 350°C.]

Wyników: 1

obiektów na stronie

Żukowski, Paweł Partyka, Janusz Węgierek, Paweł Politechnika Lubelska. Uprawaniony z patentu Milczek, Tomasz (1950- ). Oprac.

Zgłoszono 13.07.1998.
Opis patentowy

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji